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晶体管
TSM200N03DPQ33 RGG参考图片

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TSM200N03DPQ33 RGG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET, Dual, N-Ch Trench, 30V, 20A
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数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.2262
42.262
100
¥3.1414
314.14
500
¥2.3052
1152.6
5,000
¥1.4803
7401.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PDFN33-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
4.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
Dual N-Channel PowerMOSFET
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
4.6 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
7.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.8 ns
典型接通延迟时间
2.8 ns
商品其它信息
优势价格，TSM200N03DPQ33 RGG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM70NB1R4CP ROG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 700V, 3A
1:¥8.5315
10:¥7.6049
100:¥5.989
500:¥4.6443
2,500:¥3.3222
5,000:查看
参考库存:28057
VS-GB400AH120N
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暂无价格
参考库存:28060
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80:¥724.1379
参考库存:28063
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STMicroelectronics
晶体管
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3,000:¥6.667
6,000:¥6.4184
9,000:¥6.1698
参考库存:28066
FS225R17KE4
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IGBT 模块 IGBT 1700V 225A
4:¥3,503.7458
8:¥3,292.594
参考库存:28069
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