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晶体管
STW55NM60ND参考图片

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STW55NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V FDMesh
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库存:1,965(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥133.0123
133.0123
10
¥122.3338
1223.338
25
¥117.2601
2931.5025
100
¥103.2707
10327.07
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
51 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
系列
STW55NM60ND
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
96 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
68 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
188 ns
典型接通延迟时间
33 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW55NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTA114YMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:13889
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
1:¥6.6105
10:¥5.6613
100:¥4.3505
500:¥3.842
1,000:¥3.0397
参考库存:7593
晶体管
MOSFET 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥12.8368
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.0173
3,000:¥7.0173
参考库存:15482
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN+NPN 3A 50V
1:¥4.3053
10:¥3.6386
100:¥2.3391
1,000:¥1.8758
3,000:¥1.8758
参考库存:6071
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 200A 3mOhm 75nC Log LvlAB
1:¥17.063
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
参考库存:4898
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