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晶体管
NSV60200SMTWTBG参考图片

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NSV60200SMTWTBG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
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库存:21,962(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥1.5029
4508.7
9,000
¥1.4012
12610.8
24,000
¥1.3334
32001.6
45,000
¥1.2995
58477.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WDFN-6
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
集电极—基极电压 VCBO
- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 0.365 V
增益带宽产品fT
155 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
150
Pd-功率耗散
1.8 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NSV60200SMTWTBG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 156W 1680pF 20A
1:¥40.567
10:¥32.657
100:¥29.7416
250:¥26.8149
2,500:¥19.2891
参考库存:3112
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
10:¥301.0546
参考库存:3313
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 21A TO220FP-3 CoolMOS CP
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
500:¥20.4417
参考库存:3615
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 75nC
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥15.5262
250:¥14.7578
500:¥13.221
800:¥13.221
参考库存:3253
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:21397
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