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晶体管
SIHG32N50D-GE3参考图片

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SIHG32N50D-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
  • 数据手册下载
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库存:3,799(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥44.7932
44.7932
10
¥39.9568
399.568
100
¥32.7361
3273.61
250
¥29.1201
7280.025
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
64 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
390 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
D
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
55 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
75 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SIHG32N50D-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 620A
1:¥1,056.776
5:¥1,036.0292
10:¥987.6991
25:¥966.9523
参考库存:3991
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥10.7576
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.8195
2,500:¥5.8195
参考库存:6442
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DGTL NPN 50V 100MA
1:¥3.616
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
8,000:¥0.52206
24,000:查看
参考库存:12014
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 22K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:14297
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4467
500:¥6.5766
1,000:¥5.198
参考库存:4887
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