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晶体管
STGIF10CH60TS-E参考图片

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STGIF10CH60TS-E

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库存:31,924(价格仅供参考)
数量单价合计
156
¥65.9242
10284.1752
312
¥62.6246
19538.8752
624
¥58.6244
36581.6256
1,092
¥53.788
58736.496
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
Pd-功率耗散
33 W
封装 / 箱体
SDIP2F-26
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGIF10CH60TS
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
156
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGIF10CH60TS-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 200mW
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:5289
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
2,000:¥0.29154
参考库存:14886
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET
1:¥19.1309
10:¥15.9104
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:4387
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 10mA 300mW 2mW
1:¥56.4774
10:¥46.2622
100:¥38.42
参考库存:3625
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥3.4578
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
2,500:¥1.1413
参考库存:6251
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