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晶体管
STGIF10CH60TS-E参考图片

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STGIF10CH60TS-E

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库存:31,924(价格仅供参考)
数量单价合计
156
¥65.9242
10284.1752
312
¥62.6246
19538.8752
624
¥58.6244
36581.6256
1,092
¥53.788
58736.496
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
Pd-功率耗散
33 W
封装 / 箱体
SDIP2F-26
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGIF10CH60TS
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
156
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGIF10CH60TS-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 US6-PLN
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.32318
参考库存:15752
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 1.8W 10mW 50mA
758:¥8.9157
1,000:¥7.3563
2,500:¥6.5992
10,000:¥6.3393
参考库存:15755
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor
1:¥1.8419
10:¥1.2543
100:¥0.52206
1,000:¥0.3616
参考库存:10358
晶体管
MOSFET 20V Dual P-Ch Enh 12Vgs -1.4W 884pF
暂无价格
参考库存:15760
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode Fet 30V 25Vgss 1.0W
1:¥3.0736
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2204
2,000:¥1.03734
参考库存:3563
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