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晶体管
TPH6R30ANL,L1Q参考图片

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TPH6R30ANL,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET U-MOSVIII-H 100V 66A 55nC MOSFET
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库存:31,913(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.1473
8.1473
10
¥6.5201
65.201
100
¥5.0059
500.59
500
¥4.4296
2214.8
5,000
¥3.0962
15481
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
66 A
Rds On-漏源导通电阻
5.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
54 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
TPH6R30ANL
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
优势价格,TPH6R30ANL,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SO-8 DUAL N-CH
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.3843
参考库存:3492
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR DUAL 50V
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:16837
晶体管
MOSFET MOSFET, Single P-Ch, -20V, -6.5A
1:¥4.5313
10:¥3.5369
100:¥2.4408
500:¥1.6724
3,000:¥1.12209
9,000:查看
参考库存:12002
晶体管
MOSFET 400V N-CH MOSFET
1:¥5.763
10:¥4.7799
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.4634
参考库存:6190
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.4747
1,000:¥1.9775
2,500:¥1.6724
参考库存:6487
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