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晶体管
TPH6R30ANL,L1Q参考图片

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TPH6R30ANL,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET U-MOSVIII-H 100V 66A 55nC MOSFET
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库存:31,913(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.1473
8.1473
10
¥6.5201
65.201
100
¥5.0059
500.59
500
¥4.4296
2214.8
5,000
¥3.0962
15481
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
66 A
Rds On-漏源导通电阻
5.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
54 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
TPH6R30ANL
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
优势价格,TPH6R30ANL,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:6569
晶体管
达林顿晶体管 4A 45V 40W PNP
1:¥5.0737
10:¥4.1584
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
参考库存:3555
晶体管
MOSFET MOSFET, 100V, 64A, 1 50 nC Qg, TO-262
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9721
参考库存:3074
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
1:¥11.9102
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.9382
1,000:¥5.4805
5,000:¥5.4805
参考库存:29586
晶体管
达林顿晶体管 SS SOT223 DL XSTR NPN 80V
1:¥6.5314
10:¥5.3788
100:¥3.4691
1,000:¥2.7798
2,000:¥2.3391
参考库存:4488
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