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晶体管
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2N6058

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 12A 150W
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数量单价合计
200
¥39.1093
7821.86
260
¥35.9566
9348.716
500
¥30.2727
15136.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
最大直流电集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
150 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3-2
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N6058
封装
Tube
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
12 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
增益带宽产品fT
4 MHz
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
零件号别名
2N6058 PBFREE
商品其它信息
优势价格,2N6058的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
1:¥16.7466
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100:¥11.3678
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参考库存:5140
晶体管
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1:¥3.6838
10:¥2.7798
100:¥2.0679
500:¥1.695
3,000:¥1.1865
6,000:查看
参考库存:41310
晶体管
达林顿晶体管 Auto Cat HiVltg Hi- Crnt Darl Trans
1:¥6.8365
10:¥5.8421
100:¥4.4635
500:¥3.9437
2,500:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:8406
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V NPN
1:¥0.92208
10:¥0.78422
100:¥0.27685
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.14577
参考库存:205049
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
1:¥218.2256
10:¥209.8523
参考库存:3793
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