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晶体管
STGWT30V60DF参考图片

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STGWT30V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
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库存:3,705(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.2782
27.2782
10
¥23.2102
232.102
100
¥20.0575
2005.75
250
¥19.0518
4762.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
258 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT30V60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT30V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V P-channel FemtoFET MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.0792
100:¥0.99101
250:¥0.99101
1,000:¥0.76049
参考库存:3196
晶体管
MOSFET 30V N Channel Power Mosfet
1:¥4.8364
10:¥3.3787
100:¥2.2374
500:¥1.3221
3,000:¥0.89157
9,000:查看
参考库存:10218
晶体管
MOSFET Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:3881
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-13
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
4,000:¥0.99892
参考库存:1986
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,000:¥1.4012
参考库存:17071
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