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晶体管
CSD13380F3参考图片

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CSD13380F3

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 12V N ch MOSFET
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库存:19,721(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.5312
25.312
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
3.6 A
Rds On-漏源导通电阻
76 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
550 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
0.73 mm
系列
CSD13380F3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
4.3 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
0.300 mg
商品其它信息
优势价格,CSD13380F3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
1:¥6.7574
10:¥5.7517
100:¥4.4183
500:¥3.8985
1,000:¥3.0849
3,000:¥2.7346
参考库存:11501
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
4,000:¥2.2035
参考库存:23518
晶体管
MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET
1:¥30.1258
10:¥24.973
100:¥20.5886
250:¥19.8993
500:¥17.8992
参考库存:7085
晶体管
MOSFET 100V Single
1:¥4.068
10:¥3.3222
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
4,000:¥1.3334
参考库存:49366
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN Digital transistor(with built-in resistors)
1:¥3.0736
10:¥1.9775
100:¥0.85315
1,000:¥0.65314
8,000:¥0.43844
24,000:查看
参考库存:4235
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