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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	2SC5087
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	12 V
发射极 - 基极电压 VEBO	3 V
集电极连续电流	80 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 125 C
配置	Single
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SMQ-4
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	20 V
直流电流增益 hFE 最大值	240
工作频率	7 GHz (Typ)
工作温度范围	- 55 C to + 125 C
类型	VHF UHF Low Noise Low Distortion Amplifier
商标	Toshiba
Pd-功率耗散	150 mW
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，2SC5087-O(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2N3109	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS	1,500:¥3.9211 2,000:¥3.4804 10,000:¥3.3448 25,000:¥3.2431	参考库存:32244
ULN2004ADE4	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 Hi V & A Darlington	1,280:¥2.4747 2,000:¥2.2487 5,000:¥2.0905 10,000:¥2.0114	参考库存:32247
DMA561080R	Panasonic	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm	3,000:¥0.71416 9,000:¥0.65314 24,000:¥0.60681 45,000:¥0.53788	参考库存:32250
SP000913772	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS	240:¥55.0197 480:¥52.5563 720:¥47.8668 1,200:¥41.7196	参考库存:32253
STF6N60DM2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET	1:¥8.5315 10:¥7.3111 100:¥5.6274 500:¥4.972	参考库存:4503