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晶体管
DMN62D1LFD-7参考图片

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DMN62D1LFD-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF
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库存:11,304(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.1018
21.018
100
¥0.89948
89.948
1,000
¥0.69156
691.56
3,000
¥0.52997
1589.91
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1212-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
400 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
550 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN62D
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
13.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
2.1 ns
商品其它信息
优势价格,DMN62D1LFD-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 2.6W
1:¥8.5315
10:¥7.232
100:¥5.5596
500:¥4.9155
1,000:¥3.8759
2,500:¥3.8759
参考库存:6030
晶体管
MOSFET 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified
1:¥12.2944
10:¥11.526
100:¥9.0626
500:¥7.2094
2,500:¥5.1415
5,000:查看
参考库存:9876
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:12754
晶体管
MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET
1:¥12.5995
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥7.0625
2,000:¥5.4466
4,000:查看
参考库存:5889
晶体管
MOSFET FET 100V 2.95 MOHM PQFN88
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
3,000:¥24.973
参考库存:4114
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