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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	2 V
在25 C的连续集电极电流	195 A
栅极—射极漏泄电流	300 nA
Pd-功率耗散	500 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

优势价格，APT200GT60JR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DST857BDJ-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANS PNP	1:¥3.0736 10:¥1.9436 100:¥0.83733 1,000:¥0.63732 10,000:¥0.43053 20,000:查看	参考库存:14817
ZXTP2012ASTZ	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60V 3.5A 3-PIN	1:¥5.8421 10:¥4.9155 100:¥3.164 1,000:¥2.5312 2,000:¥2.5312	参考库存:6934
DMS2220LFDB-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V 3.5A P-CHNL	1:¥3.2996 10:¥2.7798 100:¥1.695 1,000:¥1.3108 3,000:¥1.11418	参考库存:6225
SI1424EDH-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC70-6	1:¥3.4578 10:¥2.3843 100:¥1.6159 500:¥1.2882 1,000:¥0.96841 3,000:¥0.89157	参考库存:8681
2N5785	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Switch SS	1:¥31.0411 10:¥27.7415 100:¥25.2781 250:¥22.826	参考库存:3353