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晶体管
SIHG22N60E-GE3参考图片

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SIHG22N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
  • 数据手册下载
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库存:1,528(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.4198
34.4198
10
¥28.5099
285.099
100
¥23.4362
2343.62
250
¥22.7469
5686.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
E
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SIHG22N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 55V 100Amp N channel Mosfet
1:¥13.8312
10:¥12.2944
100:¥9.7632
500:¥7.5258
1,000:¥5.9438
参考库存:6115
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
5,000:¥2.7459
10,000:¥2.6329
25,000:¥2.5538
参考库存:22736
晶体管
MOSFET SSOT-6 N-CH 20V
1:¥4.6895
10:¥3.9098
100:¥2.5199
1,000:¥2.0227
3,000:¥1.7063
参考库存:6983
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
1:¥21.6734
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
1,000:¥10.6785
参考库存:2628
晶体管
MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.9x2.8mm
1:¥6.8365
10:¥5.3223
100:¥4.6669
500:¥4.1697
1,000:¥2.7572
3,000:¥2.7572
参考库存:22743
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