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晶体管

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APT35GT120JU2

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库存:4,129(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥279.2343
279.2343
5
¥268.3298
1341.649
10
¥258.1824
2581.824
25
¥237.2774
5931.935
询价数量:
加入询价单立即询价
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
260 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APT35GT120JU2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥42.3411
100:¥40.341
250:¥35.2673
500:¥34.2729
参考库存:40974
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥71.6194
200:¥65.314
500:¥61.0878
1,000:¥56.0141
参考库存:40977
晶体管
MOSFET TO-220 MOSFET
1,000:¥6.8817
2,000:¥5.8986
4,000:¥5.3901
10,000:¥4.9155
参考库存:40980
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
200:¥71.8454
250:¥65.54
500:¥61.3138
1,000:¥56.2514
参考库存:40983
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP,0.6A,60V GenPur
18,000:¥0.16159
参考库存:40986
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