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晶体管

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APT35GT120JU2

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库存:4,129(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥279.2343
279.2343
5
¥268.3298
1341.649
10
¥258.1824
2581.824
25
¥237.2774
5931.935
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
260 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APT35GT120JU2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
1:¥135.7808
10:¥123.4073
25:¥114.1074
50:¥107.9602
参考库存:4018
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SSP SC75 GP XSTR 50V
1:¥3.6838
10:¥2.373
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.5989
参考库存:14804
晶体管
MOSFET Pch -60V -1.5A Middle Power MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:22178
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SW 600MA 40V
1:¥0.99892
10:¥0.91417
100:¥0.32318
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.1695
参考库存:63891
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 120V 100MA PNP TRANSISTOR
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.33787
参考库存:18922
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