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晶体管
IPP60R299CPXKSA1参考图片

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IPP60R299CPXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
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库存:2,628(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.6734
21.6734
10
¥18.3625
183.625
100
¥14.6787
1467.87
500
¥12.8368
6418.4
1,000
¥10.6785
10678.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
270 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPP60R299CP IPP6R299CPXK SP000084280
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP60R299CPXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VCE(SAT) NPN SMT
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:7889
晶体管
MOSFET 650V 15A E-Mode GaN
1:¥93.2815
10:¥90.287
25:¥86.0608
250:¥79.9136
1,000:¥77.7666
参考库存:5377
晶体管
MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥14.5996
10:¥12.4526
100:¥9.9101
500:¥8.6784
1,000:¥7.1868
参考库存:5873
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥15.5262
250:¥14.7578
800:¥11.1418
2,400:查看
参考库存:9695
晶体管
MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
1:¥85.1342
10:¥76.9191
25:¥73.3822
100:¥63.6981
参考库存:5497
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