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晶体管
SGS10N60RUFDTU参考图片

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SGS10N60RUFDTU

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数量单价合计
1
¥17.9783
17.9783
10
¥15.2889
152.889
100
¥12.2153
1221.53
500
¥10.6785
5339.25
1,000
¥8.8366
8836.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
55 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGS10N60RUFD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
16 A
高度
9.19 mm
长度
10.16 mm
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
16 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SGS10N60RUFDTU_NL
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格,SGS10N60RUFDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.4577
10:¥1.3334
100:¥0.46895
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.23843
参考库存:8927
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.56839
参考库存:14708
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:3662
晶体管
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1:¥893.265
5:¥875.75
10:¥834.8666
25:¥817.3516
参考库存:3090
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGIT NPN 50V 50MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:10372
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