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晶体管
IPP65R074C6XKSA1参考图片

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IPP65R074C6XKSA1

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库存：2,612(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥72.772
72.772
10
¥65.7773
657.773
25
¥62.7037
1567.5925
100
¥54.4773
5447.73
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
57.7 A
Rds On-漏源导通电阻
67 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
138 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
480.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
IPP65R074C6 IPP65R74C6XK SP000898650
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP65R074C6XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSS138L
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET FET 50V 3.5 OHM SOT23
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:208054
FZ1800R17HP4_B29
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 1800A
1:¥10,021.0886
参考库存:1659
2N2243A
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN AMPL/SWITCH Small Signal
1:¥43.6406
10:¥43.2564
25:¥39.4144
100:¥35.5724
参考库存:1921
NVD5863NLT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET 60V 73A 8.2MOHM
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7912
2,500:¥3.3448
10,000:查看
参考库存:5101
FDB14N30TM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 300V N-Ch MOSFET
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.0625
500:¥6.2376
800:¥4.9268
参考库存:1928
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