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晶体管
BFU730F,115参考图片

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BFU730F,115

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.825
28.25
100
¥1.7176
171.76
1,000
¥1.3334
1333.4
3,000
¥1.1413
3423.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
直流集电极/Base Gain hfe Min
205
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1 V
集电极连续电流
5 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT343F-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
10 V
直流电流增益 hFE 最大值
555
高度
0.75 mm
长度
2.2 mm
工作频率
55 GHz
类型
RF Silicon Germanium
宽度
1.35 mm
商标
NXP Semiconductors
Pd-功率耗散
197 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934064614115
单位重量
6.665 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGB7NC60HDT4
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1:¥7.91
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100:¥5.2206
500:¥4.6217
1,000:¥3.6386
1,500:¥3.6386
参考库存:5772
CSD88599Q5DCT
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 60V POWERBLOCK N CH MOSFET
1:¥50.6353
10:¥45.4938
100:¥37.3465
250:¥35.0413
500:¥31.8095
参考库存:1619
IPW80R290C3A
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTOMOTIVE
1:¥53.4038
10:¥48.3301
25:¥46.0249
100:¥39.9568
参考库存:1616
STGWT40HP65FB
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥19.21
10:¥16.2946
100:¥13.0628
500:¥11.3678
参考库存:1970
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