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晶体管
SIHG16N50C-E3参考图片

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SIHG16N50C-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥35.5724
35.5724
10
¥29.4252
294.252
100
¥24.2837
2428.37
250
¥23.5153
5878.825
500
¥21.0519
10525.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
156 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，SIHG16N50C-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥54.7824
25:¥49.946
100:¥45.1096
参考库存:5730
BUJ303AD,118
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN power transistor
1:¥6.3054
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
2,500:¥2.1809
参考库存:26264
2SB1386T100Q
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 20V 5A
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,000:¥1.5029
参考库存:5701
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