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晶体管
FQD13N10TM参考图片

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FQD13N10TM

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库存:3,287(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.0341
40.341
100
¥2.6103
261.03
1,000
¥2.0792
2079.2
2,500
¥2.0792
5198
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD13N10
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
6.3 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
FQD13N10TM_NL
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FQD13N10TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PFET 20V 0.4A 80MOH
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
3,000:¥0.99892
9,000:¥0.9379
参考库存:6308
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.328
500:¥5.4353
1,000:¥4.294
参考库存:2310
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥3.4578
10:¥2.9945
100:¥1.8758
1,000:¥1.4012
参考库存:10514
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥4.6895
10:¥3.4465
100:¥2.1696
500:¥1.7628
3,000:¥1.3899
9,000:查看
参考库存:8832
晶体管
JFET JFET N-Channel -20V 10mA 225mW 1.8mW
1:¥65.9242
10:¥54.014
100:¥44.8723
500:¥40.8834
参考库存:1424
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