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晶体管
MUN5236DW1T1G参考图片

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MUN5236DW1T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT Dual NPN
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数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.469
14.69
100
¥0.61472
61.472
1,000
¥0.42262
422.62
3,000
¥0.32996
989.88
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
是
配置
Dual
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
100 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
187 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MUN5236DW1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
80 at 5 mA at 10 V
高度
0.9 mm
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格，MUN5236DW1T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFSL7540PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.1417
参考库存:3195
NSVMMUN2132LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR PNP 50V
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
9,000:¥0.4068
参考库存:13685
TK8A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
1:¥12.9837
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥7.0738
参考库存:5578
TK8A50DA(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm
1:¥12.6786
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.9156
参考库存:2422
IRL2203NSTRLPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl
1:¥13.9894
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
800:¥6.9043
参考库存:3141
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