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FF900R12IP4D

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数量单价合计
1
¥4,364.8171
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5
¥4,101.7983
20508.9915
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
900 A
封装 / 箱体
PRIME2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
172 mm
宽度
89 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
3
子类别
IGBTs
零件号别名
FF900R12IP4DBOSA2 SP000614716
单位重量
825 g
商品其它信息
优势价格，FF900R12IP4D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STH52N10LF3-2AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 15 mOhm typ., 52 A STripFET F3 Power MOSFET in an H2PAK-2 package
1,000:¥6.6896
2,000:¥6.2263
5,000:¥6.0003
10,000:¥5.763
参考库存:32490
SQD23N06-31L_T4GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs TO-252
2,500:¥2.8363
5,000:¥2.7007
10,000:¥2.5877
25,000:¥2.5086
参考库存:32493
SI3973DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 12V 2.7A 1.15W 87mohm @ 4.5V
3,000:¥2.6894
6,000:¥2.5538
9,000:¥2.4634
24,000:¥2.3843
参考库存:32496
2731GN-200M
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥4,744.5649
参考库存:32499
SIHP6N65E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥16.6788
10:¥13.8312
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:32502
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