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晶体管
SQJ479EP-T1_GE3参考图片

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SQJ479EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:41,925(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.9101
9.9101
10
¥8.7575
87.575
100
¥7.119
711.9
500
¥5.5822
2791.1
3,000
¥4.0454
12136.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
90 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQJ479EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:15892
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.1357
100:¥1.1413
500:¥0.95259
3,000:¥0.52997
9,000:查看
参考库存:7157
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V 0.5A
1:¥3.5369
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.73789
参考库存:6836
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.3108
10:¥1.12209
100:¥0.40002
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:31418
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 150mW
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:14714
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