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晶体管
DMC1030UFDBQ-7参考图片

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DMC1030UFDBQ-7

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库存:7,724(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
3,000
¥1.3334
4000.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN2020-B-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
5.1 A, 3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms, 37 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV, 1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
23.1 nC, 20.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.36 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
4.9 ns, 25.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.4 ns, 12.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.8 ns, 30.7 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns, 5.6 ns
单位重量
6.500 mg
商品其它信息
优势价格,DMC1030UFDBQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥23.6622
10:¥20.1366
100:¥17.4472
250:¥16.5997
参考库存:3144
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
1:¥83.3714
10:¥75.3032
25:¥71.8454
100:¥62.3986
参考库存:2479
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.7685
10:¥1.921
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.43053
参考库存:47203
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:118292
晶体管
MOSFET N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
1:¥43.7197
10:¥37.1883
100:¥32.1937
250:¥30.5778
参考库存:2275
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