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FGAF40N60UFTU

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¥21.8994
21.8994
10
¥18.5998
185.998
100
¥14.9047
1490.47
500
¥12.9837
6491.85
1,000
¥10.7576
10757.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGAF40N60UF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
高度
16.7 mm
长度
15.7 mm
宽度
5.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
360
子类别
IGBTs
零件号别名
FGAF40N60UFTU_NL
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格，FGAF40N60UFTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSC5303DCP RO
Taiwan Semiconductor
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10,000:¥1.6046
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AGR21125EF
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暂无价格
参考库存:29214
SIHH11N65E-T1-GE3
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3,000:¥16.0573
参考库存:29217
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