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晶体管
TP0606N3-G参考图片

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TP0606N3-G

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库存:5,348(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥6.3167
63.167
25
¥5.2997
132.4925
100
¥4.8251
482.51
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
320 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 P-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
300 mS
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,TP0606N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
1:¥89.5977
10:¥80.9871
25:¥77.2242
100:¥67.0768
参考库存:30190
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -45Vceo
2,500:¥1.00683
参考库存:30193
晶体管
MOSFET
1,000:¥21.5152
2,000:¥20.4417
参考库存:30196
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
1:¥34.1147
10:¥29.041
100:¥25.1312
250:¥23.8204
参考库存:4872
晶体管
MOSFET T6 40V S08FL
5,000:¥3.2318
10,000:¥3.1075
25,000:¥3.0171
参考库存:30201
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