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晶体管
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TP0606N3-G

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库存:5,348(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥6.3167
63.167
25
¥5.2997
132.4925
100
¥4.8251
482.51
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
320 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 P-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
300 mS
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
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24,000:¥0.42262
参考库存:42452
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1:¥426.1569
2:¥414.6309
5:¥403.1049
10:¥391.5789
参考库存:42455
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥21.7412
10:¥19.436
25:¥17.515
50:¥16.7466
参考库存:42458
晶体管
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1,500:¥3.2205
9,000:¥3.1075
24,000:¥3.0058
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin EMT3F T/R
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:42464
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