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晶体管
IRFP360LCPBF参考图片

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IRFP360LCPBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET
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库存:2,527(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥41.1885
41.1885
10
¥33.1203
331.203
100
¥30.1258
3012.58
500
¥24.4306
12215.3
1,000
¥20.5886
20588.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
280 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
IRFP
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
75 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRFP360LCPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥29.5834
10:¥26.4307
100:¥21.8203
250:¥19.5942
500:¥17.8992
参考库存:2697
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP+NPN 1A 50V
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:4271
晶体管
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1:¥5.2206
10:¥4.0115
100:¥2.9832
500:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.8871
参考库存:7311
晶体管
IGBT 晶体管 600V 30A 187W
1:¥32.9621
10:¥27.9675
100:¥24.2837
250:¥23.052
500:¥20.6677
参考库存:2759
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥1.8419
10:¥1.2543
100:¥0.52206
1,000:¥0.3616
参考库存:10999
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