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晶体管
SUP60030E-GE3参考图片

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SUP60030E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 80V Vds 20V Vgs TO-220
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库存：2,741(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.6622
23.6622
10
¥19.5942
195.942
100
¥16.1364
1613.64
250
¥15.594
3898.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
141 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
SUP
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
82 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，SUP60030E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFU014PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
1:¥10.7576
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:2289
DSC250100L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥4.068
10:¥2.7007
100:¥1.6724
500:¥1.5029
3,000:¥0.94468
9,000:查看
参考库存:4652
ULQ2004AD
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array
1:¥6.2263
10:¥5.1528
100:¥3.3335
1,000:¥2.6781
参考库存:2232
MJF31CG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 100V 30W NPN
1:¥7.9891
10:¥6.8026
100:¥5.2319
500:¥4.6217
参考库存:2977
SSM6P49NU,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS
1:¥3.616
10:¥2.6329
100:¥1.6611
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:7420
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