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晶体管
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FGB7N60UNDF

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库存:2,861(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.5997
16.5997
10
¥14.0572
140.572
100
¥11.30
1130
500
¥9.831
4915.5
800
¥8.1473
6517.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
83 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGB7N60UNDF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 10 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FGB7N60UNDF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N-channel 100 V 45 mo FET
1:¥7.91
10:¥6.8026
100:¥5.2206
500:¥4.6217
1,000:¥3.6386
1,500:¥3.6386
参考库存:17018
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥27.12
10:¥21.8203
100:¥19.8993
250:¥17.9783
参考库存:1759
晶体管
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF
1:¥8.4524
10:¥7.2094
100:¥5.537
500:¥4.8929
1,000:¥3.8646
2,500:¥3.8646
参考库存:3629
晶体管
MOSFET BUK7M15-60E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥4.4522
10:¥3.6838
100:¥2.373
1,000:¥1.9097
1,500:¥1.6046
参考库存:3427
晶体管
MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
1:¥3.3787
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:76596
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