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晶体管
FGB7N60UNDF参考图片

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FGB7N60UNDF

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库存:2,861(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.5997
16.5997
10
¥14.0572
140.572
100
¥11.30
1130
500
¥9.831
4915.5
800
¥8.1473
6517.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
83 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGB7N60UNDF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 10 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FGB7N60UNDF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
1:¥3.2996
10:¥2.1809
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
8,000:¥0.48364
24,000:查看
参考库存:20606
晶体管
IGBT 模块 EconoPACK4 200A 1200V
1:¥1,647.8338
5:¥1,608.2612
参考库存:4614
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥23.4362
10:¥19.436
100:¥15.0629
500:¥13.221
3,000:¥13.221
参考库存:7428
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.6049
5,000:¥5.65
10,000:查看
参考库存:14612
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V NPN
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:103205
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