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晶体管
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FGB7N60UNDF

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库存:2,861(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.5997
16.5997
10
¥14.0572
140.572
100
¥11.30
1130
500
¥9.831
4915.5
800
¥8.1473
6517.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
83 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGB7N60UNDF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 10 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FGB7N60UNDF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V N-channel Trench MOSFET
1:¥3.6838
10:¥2.599
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.78422
参考库存:10591
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 5A 25V 12.5W PNP
1:¥4.3844
10:¥3.6273
100:¥2.2148
1,000:¥1.7176
参考库存:5748
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Transistor
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:19285
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -40V 200mW
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:13439
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 120V 50MA
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:8701
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