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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual Common Emitter
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	EMT-5
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	EMG3
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	600
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
高度	0.5 mm
长度	1.6 mm
宽度	1.2 mm
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors
零件号别名	EMG3

商品其它信息

优势价格，EMG3T2R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PUMB11,135	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin	1:¥2.6894 10:¥1.8758 100:¥0.78422 1,000:¥0.53788 10,000:¥0.3616 20,000:查看	参考库存:11207
DTA124EM3T5G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP	1:¥2.4634 10:¥1.695 100:¥0.69156 1,000:¥0.53788 8,000:¥0.3842 24,000:查看	参考库存:21822
STB25NM60ND	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II	1:¥53.7089 10:¥48.5674 25:¥46.2622 100:¥40.1828 1,000:¥30.51	参考库存:3172
IPS60R400CEAKMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET CONSUMER	1:¥8.2942 10:¥7.1077 100:¥5.4579 500:¥4.8251 1,000:¥3.8081	参考库存:2714
A2T18S262W12NR3	NXP Semiconductors	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S262W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP	1:¥625.6358 5:¥614.1098 10:¥586.5152 25:¥566.921	参考库存:21829