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晶体管

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FZ1200R33KF2C

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库存:42,297(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14,643.783
14643.783
5
¥14,409.647
72048.235
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Triple Common Emitter Common Gate
集电极—发射极最大电压 VCEO
3300 V
集电极—射极饱和电压
3.4 V
在25 C的连续集电极电流
2000 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
14.5 kW
封装 / 箱体
IS5a ( 62 mm )-9
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
190 mm
宽度
140 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ1200R33KF2CNOSA1 SP000100603
商品其它信息
优势价格,FZ1200R33KF2C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -60V, -12A, Dual P- Channel Power MOSFET
1:¥6.9947
10:¥6.0681
100:¥4.7008
500:¥3.4804
2,500:¥2.4521
5,000:查看
参考库存:42363
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
10,000:¥0.18419
50,000:¥0.18419
参考库存:42366
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 120V 0.7A
1:¥5.0737
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,000:¥1.8193
参考库存:42369
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:42372
晶体管
MOSFET 45V, 4V Driving Volt N Channel, Single
1:¥12.9046
10:¥10.9158
100:¥8.7575
500:¥7.6501
2,500:¥5.8986
5,000:查看
参考库存:42375
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