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晶体管
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VN2410L-G

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库存:4,009(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥6.78
67.8
25
¥5.7065
142.6625
100
¥5.1415
514.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
240 V
Id-连续漏极电流
190 mA
Rds On-漏源导通电阻
10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
300 mS
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,VN2410L-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V 2A
1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥1.6611
1,000:¥1.243
3,000:¥1.1526
参考库存:6859
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥5.4579
10:¥4.4974
100:¥2.8928
1,000:¥2.3165
参考库存:4424
晶体管
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1:¥13.3679
10:¥11.1418
100:¥8.6106
500:¥7.5258
1,000:¥6.2263
参考库存:2348
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.3617
1,000:¥1.8306
3,000:¥1.5594
参考库存:5303
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V Dual Switching NPN
1:¥3.2318
10:¥2.0453
100:¥0.87575
1,000:¥0.67574
8,000:¥0.45313
24,000:查看
参考库存:12093
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