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晶体管
IEWS20R5135IPBXKLA1参考图片

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IEWS20R5135IPBXKLA1

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库存:4,845(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥46.1831
46.1831
10
¥39.2675
392.675
100
¥34.0356
3403.56
250
¥32.2728
8068.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-6
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1350 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
288 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
IEWS20R5135IPB
商品其它信息
优势价格,IEWS20R5135IPBXKLA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,500:¥2.2939
参考库存:4653
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:11382
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5201
500:¥5.7743
参考库存:4281
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
8,000:¥0.32996
24,000:查看
参考库存:9871
晶体管
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:3620
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