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晶体管
SQ1912EH-T1_GE3参考图片

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SQ1912EH-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
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库存:27,716(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.8419
184.19
500
¥1.4803
740.15
3,000
¥1.01474
3044.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
800 mA
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms, 200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.15 nC, 1.15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2.6 S, 2.6 S
下降时间
17 ns, 17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns, 21 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns, 19 ns
典型接通延迟时间
3 ns, 3 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,SQ1912EH-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:21959
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
3,000:¥1.5029
9,000:¥1.4012
24,000:¥1.3334
45,000:¥1.2995
参考库存:21962
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
10,000:¥1.3334
参考库存:21965
晶体管
MOSFET 600V, 3 N-Channel FET
1:¥9.4468
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
2,500:¥3.5821
10,000:查看
参考库存:21968
晶体管
达林顿晶体管 NPN/ 110V/ 1.5A
1:¥2.9945
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
4,000:¥1.02152
参考库存:5353
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