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晶体管
BSZ050N03MS G参考图片

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BSZ050N03MS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
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库存:8,835(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.6613
56.613
100
¥3.6499
364.99
1,000
¥2.9154
2915.4
5,000
¥2.4634
12317
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
3.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
6.7 ns
零件号别名
BSZ050N03MSGATMA1 BSZ5N3MSGXT SP000311518
商品其它信息
优势价格,BSZ050N03MS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥149.4538
5:¥143.6117
10:¥138.2329
25:¥127.012
参考库存:4016
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.8996
50:¥23.052
参考库存:24597
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GENERAL PURPOSE AMPL
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:24600
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
1,000:¥17.2099
2,000:查看
参考库存:4536
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780H
1:¥2,904.6311
5:¥2,859.9848
10:¥2,817.4177
25:¥2,756.635
50:¥2,714.2939
参考库存:24605
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