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晶体管
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STGP8M120DF3

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥34.1147
34.1147
10
¥29.041
290.41
100
¥25.1312
2513.12
250
¥23.8204
5955.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP8M120DF3
集电极最大连续电流 Ic
8 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGP8M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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暂无价格
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3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
45,000:¥0.73789
参考库存:32671
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