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晶体管
SIHP12N60E-GE3参考图片

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SIHP12N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存：6,765(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.7468
20.7468
10
¥17.2099
172.099
100
¥13.3679
1336.79
500
¥11.6842
5842.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
147 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SIHP12N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC807-25LWF
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC807-25LW/SOT323/SC-70
10,000:¥0.18419
30,000:¥0.1695
50,000:¥0.14577
100,000:¥0.12317
参考库存:16497
IPD90N08S405ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥20.6677
10:¥17.5941
100:¥14.0572
500:¥12.2944
2,500:¥9.4468
5,000:查看
参考库存:4800
DMN3053L-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF
10,000:¥0.71416
参考库存:16502
FDMC510P-F106
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET ST3 20V/8V PCH Power Trench Mosfet
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.3843
参考库存:5297
SIHH14N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
3,000:¥19.8993
参考库存:16507
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