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晶体管
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FDA032N08

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库存:1,669(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.5043
29.5043
10
¥25.0521
250.521
100
¥21.7412
2174.12
250
¥20.6677
5166.925
500
¥18.5207
9260.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
235 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FDA032N08
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
121 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
191 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
335 ns
典型接通延迟时间
230 ns
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FDA032N08的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
1:¥60.3194
10:¥54.4773
25:¥51.9461
100:¥45.1096
参考库存:4562
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥12.4526
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.0399
参考库存:5513
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双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:10666
晶体管
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1:¥47.9459
10:¥43.3355
25:¥41.2676
100:¥35.8888
参考库存:4685
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 1A
1:¥3.6838
10:¥2.8024
100:¥1.5255
1,000:¥1.1413
2,000:¥0.9831
参考库存:4879
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