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晶体管
FS75R12KE3_B9参考图片

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FS75R12KE3_B9

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库存:30,571(价格仅供参考)
数量单价合计
10
¥851.5454
8515.454
30
¥833.6349
25009.047
100
¥791.9153
79191.53
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
355 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R12KE3B9BOSA1 SP000721046
商品其它信息
优势价格,FS75R12KE3_B9的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Sgle NPN, 100mA
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:4399
晶体管
MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
1,000:¥12.3735
2,000:查看
参考库存:2755
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 100MA SMT5
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:4754
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥58.6244
10:¥52.9405
25:¥50.4884
100:¥43.8779
参考库存:2221
晶体管
MOSFET 40V N-Ch Enh FET 20Vgs 19.2A 74nC
1:¥5.4579
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
2,000:¥2.3617
参考库存:6524
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