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晶体管
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2N6034G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 4A 40V Bipolar Power PNP
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数量单价合计
1
¥5.6048
5.6048
10
¥4.633
46.33
100
¥2.9945
299.45
1,000
¥2.3843
2384.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
500 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6034
封装
Bulk
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100, 500, 750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
681 mg
商品其它信息
优势价格,2N6034G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NBRT
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:22032
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
1:¥10.2152
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
3,000:¥3.8872
9,000:查看
参考库存:22035
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.20792
参考库存:22038
晶体管
MOSFET GAN 600V 17A 150MO
暂无价格
参考库存:22041
晶体管
达林顿晶体管 PNP Epitaxial Sil
1:¥4.6104
10:¥3.8759
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
参考库存:2424
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