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晶体管
APT50GN120L2DQ2G参考图片

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APT50GN120L2DQ2G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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数量单价合计
1
¥136.617
136.617
10
¥124.1757
1241.757
25
¥114.7967
2869.9175
50
¥108.6495
5432.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
134 A
Pd-功率耗散
543 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
134 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
134 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
10.600 g
商品其它信息
优势价格，APT50GN120L2DQ2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIA923EDJ-T4-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.9946
10:¥3.9776
100:¥3.0171
500:¥2.486
3,000:¥1.808
6,000:查看
参考库存:7117
TK20P04M1,RQ(S
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 27W 985pF 0.034
1:¥7.458
10:¥5.7743
100:¥3.7177
1,000:¥2.9832
2,000:¥2.5086
参考库存:24732
NGTB25N120IHLWG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 1200/25A IGBT LPT TO-247
暂无价格
参考库存:24735
STD150N3LLH6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
2,500:¥7.0964
5,000:查看
参考库存:6475
DMTH4014LPDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥7.2207
10:¥6.1585
100:¥4.7347
500:¥4.181
1,000:¥3.2996
2,500:¥3.2996
参考库存:6627
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