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晶体管
STD65N55LF3参考图片

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STD65N55LF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 55V 7.0mOh 110W STripFETIII 80A 55V
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数量单价合计
1
¥15.368
15.368
10
¥13.0628
130.628
100
¥10.4525
1045.25
500
¥9.1417
4570.85
2,500
¥7.0625
17656.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD65N55LF3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD65N55LF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:18536
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PMSTA56/8/SOT323/SC-70
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.20792
24,000:¥0.1921
45,000:¥0.1695
99,000:¥0.13786
参考库存:18539
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:5342
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR NPN 50V
1:¥3.2996
10:¥2.3052
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
10,000:¥0.63054
20,000:查看
参考库存:14344
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:18546
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