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晶体管
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BSC0910NDI

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库存:4,415(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.368
15.368
10
¥13.0628
130.628
100
¥10.4525
1045.25
500
¥9.1417
4570.85
5,000
¥6.8026
34013
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TISON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 mOhms, 4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5 nC, 23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
42 S, 85 S
下降时间
2.4 ns, 4.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns, 5.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 28 ns
典型接通延迟时间
2.4 ns, 5.6 ns
零件号别名
BSC0910NDIATMA1 SP000998052
单位重量
101.800 mg
商品其它信息
优势价格,BSC0910NDI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF9Z10PBF
1:¥23.8995
10:¥19.8202
100:¥16.2946
250:¥15.8313
参考库存:42279
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DVR NPN 32V 2A
1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0792
1,000:¥1.6159
2,000:¥1.3786
参考库存:42282
晶体管
MOSFET 20V N channel Mosfet
1:¥4.1471
10:¥3.5369
100:¥2.6329
500:¥1.9323
2,500:¥1.3334
5,000:查看
参考库存:42285
晶体管
MOSFET 30V, 73A, Single N- Channel Power MOSFET
1:¥5.4579
10:¥4.6104
100:¥3.4465
500:¥2.5312
2,500:¥1.7289
5,000:查看
参考库存:42288
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL DIGITAL NPN/NPN INPUT RESISTOR
1:¥3.1527
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
8,000:¥0.44522
24,000:查看
参考库存:42291
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