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晶体管

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STGD6NC60H-1

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
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1
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10.3734
10
¥8.8366
88.366
100
¥6.78
678
500
¥5.989
2994.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
IPAK-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
Pd-功率耗散
62.5 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGD6NC60H-1
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STGD6NC60H-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥532.5803
参考库存:29696
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3,000:¥49.7878
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1:¥894.1125
5:¥877.671
10:¥838.1662
25:¥810.1987
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10,000:¥0.78422
30,000:¥0.72207
50,000:¥0.69156
100,000:¥0.66896
参考库存:29705
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.22261
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.17628
参考库存:29708
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