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晶体管
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A3T18H400W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
1
¥1,065.9968
1065.9968
5
¥1,045.024
5225.12
10
¥996.3097
9963.097
25
¥975.4047
24385.1175
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.2 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
16.8 dB
输出功率
71 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935360345128
商品其它信息
优势价格，A3T18H400W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C430NT3G
ON Semiconductor
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1:¥5.0737
10:¥3.9437
100:¥2.712
1,000:¥1.4012
30,000:¥1.09836
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10:¥315.8915
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500:¥16.2946
1,000:¥13.7521
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1:¥21.9785
10:¥18.2156
100:¥14.9838
250:¥14.5205
3,000:¥10.4525
6,000:查看
参考库存:42545
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