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晶体管
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A3T18H400W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
1
¥1,065.9968
1065.9968
5
¥1,045.024
5225.12
10
¥996.3097
9963.097
25
¥975.4047
24385.1175
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.2 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
16.8 dB
输出功率
71 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935360345128
商品其它信息
优势价格，A3T18H400W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN3R5-80PS,127
Nexperia
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 3.5 mOhms
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.4526
500:¥10.9158
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DMNH10H028SPS-13
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1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.7065
1,000:¥4.4974
2,500:¥4.4974
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SIJA52ADP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
1:¥10.7576
10:¥8.8366
100:¥6.8139
500:¥5.8534
3,000:¥4.3166
6,000:查看
参考库存:8623
STI6N95K5
STMicroelectronics
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MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener 5 Power
1:¥24.2046
10:¥20.5208
100:¥17.8314
250:¥16.9048
参考库存:4125
2N3970
InterFET
晶体管
JFET N-Ch Depletion JFET 25Vds 25Vdg 100mA
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:2674
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