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晶体管
IRLR7833TRPBF参考图片

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IRLR7833TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 38nC
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数量单价合计
1
¥7.91
7.91
10
¥6.78
67.8
100
¥5.2093
520.93
500
¥4.5991
2299.55
1,000
¥3.6386
3638.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
140 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
66 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.9 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SP001558534
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRLR7833TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.5312
10:¥1.7063
100:¥0.71416
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参考库存:12844
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1:¥10.2152
10:¥8.7575
100:¥6.7348
500:¥5.9551
1,000:¥4.7008
5,000:¥4.7008
参考库存:36225
晶体管
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1:¥11.3678
10:¥11.2209
25:¥9.4468
100:¥8.6106
3,300:¥7.5371
9,900:查看
参考库存:6308
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9099
500:¥5.2206
1,000:¥4.1245
2,000:¥4.1245
参考库存:6487
晶体管
IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.1133
500:¥5.4127
1,000:¥4.2601
参考库存:6237
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