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晶体管
SIHD6N62E-GE3参考图片

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SIHD6N62E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 620V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
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库存:6,188(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5995
12.5995
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.8817
3440.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
620 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SIHD6N62E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥9.0626
10:¥7.458
100:¥5.7291
3,000:¥5.7291
参考库存:6351
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥388.8895
5:¥375.8267
10:¥363.6114
25:¥336.2541
参考库存:3425
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual U-Mini Schottky 40Vrrm 200If 250mW
1:¥3.2996
10:¥2.3843
100:¥1.3673
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:12080
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 0.15A
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:6638
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
1:¥24.747
10:¥21.0519
100:¥18.2156
250:¥17.289
参考库存:3955
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