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晶体管
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STGWT60H60DLFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
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数量单价合计
1
¥40.6461
40.6461
10
¥34.578
345.78
100
¥29.9676
2996.76
250
¥28.4308
7107.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT60H60DLFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
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