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晶体管
BSL316CH6327XTSA1参考图片

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BSL316CH6327XTSA1

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库存:2,383(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7685
27.685
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.4 A, 1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
119 mOhms, 113 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V, 2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
600 pC, - 2.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3 mm
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2.3 S, 2.7 S
下降时间
1 ns, 7.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 ns, 6.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5.8 ns, 14.3 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns, 5 ns
零件号别名
BSL316C H6327 SP001101010
单位重量
14.810 mg
商品其它信息
优势价格,BSL316CH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T8 40V LOW COSS
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥24.0464
250:¥22.826
1,500:¥17.2099
参考库存:5576
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 950 V, 4.3 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
参考库存:7143
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 9A 1 50MOHM
1:¥5.4579
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
2,500:¥2.0001
参考库存:6502
晶体管
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥309.4392
5:¥302.5236
10:¥288.6924
25:¥276.624
参考库存:4247
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
1:¥7.8422
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
1,500:¥3.1866
9,000:查看
参考库存:4314
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