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晶体管
NTHD3100CT1G参考图片

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NTHD3100CT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary
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库存：110,794(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.6951
36.951
100
¥2.3843
238.43
1,000
¥1.9097
1909.7
3,000
¥1.6159
4847.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ChipFET-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.9 A, 3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms, 110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV, 450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V, - 2.5 V
Qg-栅极电荷
2.3 nC, 7.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.05 mm
长度
3.05 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTHD3100C
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.65 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
6 S, 8 S
下降时间
1.5 ns, 12.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10.7 ns, 11.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.6 ns, 16 ns
典型接通延迟时间
6.3 ns, 5.8 ns
单位重量
85 mg
商品其它信息
优势价格，NTHD3100CT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N2222A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥37.2674
10:¥29.9676
100:¥27.2782
200:¥24.6679
500:¥22.1254
参考库存:44197
TSM240N03CX6 RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 30V N Channel Power Mosfet
1:¥3.7629
10:¥2.9154
100:¥2.0001
500:¥1.3786
3,000:¥0.92208
9,000:查看
参考库存:44200
RQ3E100MNTB1
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:44203
STP8N80K5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5
1:¥28.6568
10:¥23.052
100:¥20.9728
250:¥18.9049
参考库存:5658
FQP12N60C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥20.1366
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9893
参考库存:5320
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